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信息技术
快闪记忆体与多个浮动盖茨或charge-trapping非易失存储器晶体管。几个晶体管相连,二进制值是由位线和字线控制。NAND flash已经迁移从2 d到3 d结构以满足密度要求高一些。快闪记忆体可以有几个位/细胞,添加更大的密度,但耐力和/或性能的缺点:
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